تولید حافظه جدید با استفاده از نانوسیم
محققان ژاپنی یك ابزار ماكرومكانیكی طراحی كردهاند كه به عنوان یك حافظه غیرفرار كار میكند. این ابزار از یك نانوسیم به قطر ۱۰۰ نانومتر ساخته شده است كه از دو طرف محكم نگه داشته شده و توسط الكترودهایی كه در هر طرف آن قرار دارند، به كار میافتد.
به نقل از پایگاه اینترنتی ستاد نانو، محققان ژاپنی یك ابزار ماكرومكانیكی طراحی كردهاند كه به عنوان یك حافظه غیرفرار كار میكند. این ابزار از یك نانوسیم به قطر ۱۰۰ نانومتر ساخته شده است كه از دو طرف محكم نگه داشته شده و توسط الكترودهایی كه در هر طرف آن قرار دارند، به كار میافتد. اگر این ابزار بهینه شود، میتواند به عنوان حافظه در كاربردهای فضایی و امنیتی مورد استفاده قرار گرفته و حتی جایگزین SRAMها شود.
بنوت شارلوت یكی از اعضای این گروه پژوهشی در LIMMS (آزمایشگاه تحقیقاتی مشترك بین فرانسه و دانشگاه توكیو) میگوید: میتوانیم با اعمال یك اختلاف پتانسیل بین این نانوسیم و یكی از الكترودهای كناری آن، این ابزار را سوئیچ كنیم. در این حالت نانوسیم بسته شده، از یك وضعیت به وضعیت دوم كه پایدار است، تغییر یافته و در آنجا میماند.
در تئوری این ابزار میتواند بدون مصرف هرگونه انرژی یك بیت اطلاعات را در خود ذخیره كند اما نمونهای كه ساخته شده است، برای سوئیچ كردن نیاز به اختلاف پتانسیل بالایی دارد.
شارلوت میگوید: كاربرد اصلی این وسیله در ابزارهای ذخیرهسازی غیرفرار است. از آنجا كه احتمالاً این ابزار در مقابل تشعشع مقاوم است، در نتیجه كاندیدای مناسبی برای استفاده در فضا و كاربردهای امنیتی است.
او میافزاید میتوان از این وسیله جدید به جای SRAMهایی همانند حافظه فلش استفاده كرد.
این ابزار كه به راحتی با استفاده از لیتوگرافی الكترونی و روشهای حكاكی قابل ساخت است، میتواند با حافظههای نانولولهای (همانند نمونه ساخته شده توسط شركت Nanetro) رقابت كند. اساس كار این دو یكی است اما در اینجا نانوسیم كه می تواند تا چند میكرون طول داشته باشد، جایگزین نانولوله میشود. با این حال یكی از مزایای این نمونه جدید این است كه ساختن آن راحتتر است.
این گروه پژوهشی كه رهبری آن را توشیوشی از دانشگاه توكیو بر عهده دارد، در حال برنامهریزی برای توسعه فرایند ساخت خود است. تمركز اصلی آنها روی پوشش كناری فلزی است تا ولتاژ مورد نیاز برای سوئیچ كردن نانوسیم را كاهش دهند. شارلوت میافزاید: مشكل اصلی دیگر، مطالعه رفتار حركتی سیم است (فعال كردن سیم با یك سیگنال متناوب نزدیك به فركانس طبیعی آن).
به نقل از پایگاه اینترنتی ستاد نانو، محققان ژاپنی یك ابزار ماكرومكانیكی طراحی كردهاند كه به عنوان یك حافظه غیرفرار كار میكند. این ابزار از یك نانوسیم به قطر ۱۰۰ نانومتر ساخته شده است كه از دو طرف محكم نگه داشته شده و توسط الكترودهایی كه در هر طرف آن قرار دارند، به كار میافتد. اگر این ابزار بهینه شود، میتواند به عنوان حافظه در كاربردهای فضایی و امنیتی مورد استفاده قرار گرفته و حتی جایگزین SRAMها شود.
بنوت شارلوت یكی از اعضای این گروه پژوهشی در LIMMS (آزمایشگاه تحقیقاتی مشترك بین فرانسه و دانشگاه توكیو) میگوید: میتوانیم با اعمال یك اختلاف پتانسیل بین این نانوسیم و یكی از الكترودهای كناری آن، این ابزار را سوئیچ كنیم. در این حالت نانوسیم بسته شده، از یك وضعیت به وضعیت دوم كه پایدار است، تغییر یافته و در آنجا میماند.
در تئوری این ابزار میتواند بدون مصرف هرگونه انرژی یك بیت اطلاعات را در خود ذخیره كند اما نمونهای كه ساخته شده است، برای سوئیچ كردن نیاز به اختلاف پتانسیل بالایی دارد.
شارلوت میگوید: كاربرد اصلی این وسیله در ابزارهای ذخیرهسازی غیرفرار است. از آنجا كه احتمالاً این ابزار در مقابل تشعشع مقاوم است، در نتیجه كاندیدای مناسبی برای استفاده در فضا و كاربردهای امنیتی است.
او میافزاید میتوان از این وسیله جدید به جای SRAMهایی همانند حافظه فلش استفاده كرد.
این ابزار كه به راحتی با استفاده از لیتوگرافی الكترونی و روشهای حكاكی قابل ساخت است، میتواند با حافظههای نانولولهای (همانند نمونه ساخته شده توسط شركت Nanetro) رقابت كند. اساس كار این دو یكی است اما در اینجا نانوسیم كه می تواند تا چند میكرون طول داشته باشد، جایگزین نانولوله میشود. با این حال یكی از مزایای این نمونه جدید این است كه ساختن آن راحتتر است.
این گروه پژوهشی كه رهبری آن را توشیوشی از دانشگاه توكیو بر عهده دارد، در حال برنامهریزی برای توسعه فرایند ساخت خود است. تمركز اصلی آنها روی پوشش كناری فلزی است تا ولتاژ مورد نیاز برای سوئیچ كردن نانوسیم را كاهش دهند. شارلوت میافزاید: مشكل اصلی دیگر، مطالعه رفتار حركتی سیم است (فعال كردن سیم با یك سیگنال متناوب نزدیك به فركانس طبیعی آن).
+ نوشته شده در سه شنبه بیست و پنجم تیر ۱۳۸۷ ساعت ۳:۴۷ ب.ظ توسط جمعی از دانشجویان مهندسی کامپیوتر
|